陈舟看到张一凡打开电脑的手，明显顿了顿，立马笑着说道：“金刚石薄膜制备工艺的分析模型，放心，很简单。”

说着，陈舟走回自己的电脑前，把昨天的研究成果甩给了张一凡。

随即，又丢给了张一凡一个联系方式。

张一凡奇怪道：“这人是？”

陈舟回道：“燕大计算机系的一个学长，你们俩一起搞这个分析模型。”

张一凡哦了一声，随即加了对方的联系方式。

这时，他才知道，陈舟在不知不觉中，又拉了个人。

这人也不是别人，正式UPC竞赛第三人，方结明。

本来陈舟也只是试一试，看对方愿不愿意帮忙的。

但是令陈舟没想到的是，方结明很是爽快的便答应了。

陈舟在惊喜之余，也是连连道谢，顺便又提了提一起撸啊撸这事。

只不过，方结明连忙表示，戒了。

从上次UPC结束后，就没打过了……

张一凡和方结明联系后，两人便开始了分析模型的构建工作。

这是很简单的模型，按照两人的预估，两个多小时，就能搞定。

陈舟这边，也把昨晚睡觉前整理出来的资料，再次打开。

依据着错题集的试错能力，不断的调整着制备工艺的参数。

“金刚石制备的过程中，高甲烷浓度下，衬底表面会有大量的碳氢前躯体，并且迁移率低，台阶上碳氢前驱体的过饱和度高。”

“台阶上碳氢前驱体在迁移过程中，极易与其它碳氢前驱体发生团聚，并发生形核。”

“同时，在没有发生迁移或迁移少的位置，碳氢前驱体会并入到晶体内。”

“因此，随着甲烷浓度升高，最终会导致无规则的生长形貌。”

陈舟想到这，便在草稿纸上写到：

【当甲烷流量低，碳氢前驱体的扩散长度大于阶梯的宽度，那么梯层上吸附物质的过饱和度将低于形核所需的临界值。】

【在这种情况下，到达梯层上的碳氢前驱体会扩散到另一台阶，从而形成层流式生长，层流式生长可以产生单一的外延表面结果，适合制备单晶金刚石。】

【因此，在衬底已选定的前提下，适当的降低甲烷浓度能够有效抑制无规则生长，促进层流式生长，增加较高质量金刚石外延的生长时间和厚度。】

写完这段话，陈舟又回头看了一眼，在旁边写下了一个区间。

【2%~9%】

这是初步拟定的甲烷体积分数的是错区间。

同样的思路，同样的方法，陈舟确定了工作压力、微波功率和衬底温度的试错区间。

但是要在这一批区间里，找到最合适的那个参数，还是需要时间的打磨。

正如前面陈舟所想的那样，金刚石的制备工艺，本身是一个矛盾的问题。

它的生在速率会随着甲烷浓度，工作压力和衬底温度等等因素的增加而提高，但过高的甲烷浓度和衬底温度，又会降低金刚石的质量。

上午11点，张一凡和方结明这边把分析模型构建完成。

陈舟随手便把一个通过错题集试错出的数据参数甩给了两人，让他们通过分析模型再进一步分析。

分析模型可以初步得到当前数据参数的理论结果，算是对错题集试错的进一步验证。

再通过这个反馈信息，陈舟调整试错区间，用错题集再验证。

之后，再把数据交给张一凡和方结明。

就这样，三人之间的配合，越发的默契。

而金刚石制备工艺的改进，也正在解决预期的目标。

下午一点，陈舟三人经过短暂的休息，便又投入了后续的工作。

陈舟有预感，今天应该能搞出来。